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添加剂促进陶瓷致密化的机理

烧结是使陶瓷坯体致密化,并使之成为具有某种显微结构的一个关键步骤。当然烧结以前的各工序对最后的结构同样有着重要的影响,但是为了获得更为满意的显微结构,以便提高某种
    烧结是使陶瓷坯体致密化,并使之成为具有某种显微结构的一个关键步骤。当然烧结以前的各工序对最后的结构同样有着重要的影响,但是为了获得更为满意的显微结构,以便提高某种性能,了解烧结致密化问题是有益的。
    以烧结对显微结构的影响来说,主要因素有:(1)粉末颗粒尺寸和活性;(2)添加剂;(3)温度;(4)保温时间;(5)压力;(6)气氛。
    为了得到需要的显微结构和性能的材料,人们力图调整和控制这些参数,若控制得当,可以得到接近完全致密的材料。正如前面已经指出的,气孔作为陶瓷显微结构的重要组成部分,如完全排除它,对材料的许多性能是大有好处的。完全排除气孔,意味着某些过程得到了加速。气孔得到更快地充填,烧结得以加速进行。另一方面,气孔几乎被完全排除,表明在烧结时,气孔没有被包进晶粒内部,这就意味着Vb -直没有明显地超过Vp,大多数气孔始终处于晶界上,从而可以得到有效地排除。
    为了使一些陶瓷材料烧结到高度致密化,总需要选用一种或几种添加剂来促进烧结和致密化。但是要了解清楚添加剂对不同泵统的烧结机理,了解气孔为什么会被更好地排除,往往需要进行大量的工作,才能逐步搞清楚。对添加剂的选择多少带有一定的经验性,其主要原因:(1)可以同时存在的致密化机理太多,不容易知道哪种在起主导作用。就以简单的A12 03而论,在致密化过程中,两种离子都需要迁移,每种离子至少有两种途径,所以有四种可能的迁移途径,每种都可能起控制作用。如选用添加剂来促进烧结,只有能够促进那个控制过程的添加剂,才能有效。如图1-3-19。(2)在改变时,控制机理也可能发生改变。(3)添加剂虽然是促进烧结致密化的一种有效办法.但 添加剂的作用并不容易确定,因为添加剂对烧结所起的作用,有以下几个方面:
    1)改变点缺陷浓度,从而改变某种离子的扩散系数;
    2)在晶界附近富集,影响晶界的迁移速率,从而减少晶粒长大的干扰作用;
    3)提高表面能与界面能的比值,直接提高致密化的动力;
    4)在晶界形成连续第二相,为原子扩散提供快速途径;
    5)第二相在晶界的钉扎作用,阻碍晶界迁移。
    盖戈要搞清楚一种添加剂所起的作用,常常要做大量反复的工作,现代测试方法对此是必7i夕约。 --51年R.L.Coble采用添加Mg0的办法,把A12 03陶瓷烧结到接近理论密度,即很少写三孔被包裹到晶粒内去,绝大部分被排除掉,去掉了对可见光的大量散射中心,使A12 03陶曼至为半透明状态。人们开始研究Mg0为什么能促进A120。的致密化、帮助排除气孔,对其:王砚理,有许多学者从不同角度采用不同方法进行大量研究,对这个问题得到比较满意的回;:Coble在1961年首先认为是Mg0溶解于A1:Oj中,提高了控制扩散过程的离子缺陷浓主.’I、而促进烧结致密化。此后R_ Jorgensen等人从为、Ig0固溶在Al-O÷中,并在晶界富姜.抵制晶粒长大。1973年A.Mocellin等人又提出、Ig0对晶垃长大的抑制作用,来源于二奢质在晶界的钉扎效应。W.C.Johnson等,‘、添加了大量、Ig0.也认为第二相的钉孑L效应三碍了晶粒长大。直至J.G.J.Peele才比较好地把这个问题说清楚,他的结果表明:不论添加量或较多量Mg0,都可促进Al:O。的致密化,但机理不一样。在固溶极限以下(1630℃约了;。0 ppm)主要是由于提高了点缺陷浓度,加速A13+的晶格扩散。而当Mg0的添加量增.超过固溶极限以上,则第二相在晶界的钉扎就发生了作用。这说明过去的两种解释都是正甍的。只是条件不同,机理也相应发生变化。M.Harmer等用高温快速烧成方法,对比了纯Al20。与添加200 ppm Mg0或200 ppm_ i02的烧结性能,发现后二者都可促进A12 03的烧结,经1850℃保温5 min,添加Mg0的样晶已接近理论密度。同时两者都有正常的晶粒长大,尺寸均匀,气孔保持在晶界。而纯A120。刘有一些不正常晶粒长大,气孔被包人品粒内。
    作者认为Mg0或Ti02固溶于A1。O。中同时促进烷结和晶粒长大,说明两者是有关联的。由于致密化速率加快,使在相同晶粒尺寸的情况下,气孔尺寸更小一些。这样气孑L对晶界迁移的抑制作用比正常情况要小,所以晶粒长大速度反而比纯Al:O。为快。这一事实也表明固溶杂质对晶界移动的牵制作用并不是很大的。晶界运动受气孔控制。
    Mg0与Ti02的作用都是由于提高A13+离子的缺陷浓度所致:对TiO:来讲,比较简单,Ti4+离子的加入,提高了A13+离子的缺陷浓度,因而加快了A13+离子的晶格扩散。对Mg0来讲,情况要复杂一些,可能由于Mg2+占据了A13+的位置,促进了间隙AI3+离子增加。因此添加Mg0的作用,可能由于间隙机理,促进了A13+离子的扩散。
    可见,添加剂对促进烧结机理是复杂的,对显微结构的影响也很大。


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本文“添加剂促进陶瓷致密化的机理”由科众陶瓷编辑整理,修订时间:2014-12-18 10:44:38
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