高导热基片新型材料---氮化硅陶瓷基片

氮化硅陶瓷基片具有成为高导热基片的潜力，其各种性能也非常强，下面有三种陶瓷基板材料的性能对比，对比可以看出氮化硅陶瓷的一些优势，科众陶瓷厂带大家一起了解下氮化硅陶瓷基片安吧。

氮化硅陶瓷具有硬度大、强度高、热膨胀系数小、高温蠕变小、抗氧化性能好、热腐蚀性能好、摩擦系数小等诸多优异性能，是综合性能最好的结构陶瓷材料。单晶氮化硅的理论热导率可达400w/(m·K)，具有成为高导热基片的潜力。

此外，氮化硅的线膨胀系数与Si、SiC和GaAs等半导体材料匹配良好，这使氮化硅陶瓷成为一种极具有吸引力的高强高导热电子器件基板材料。氮化硅、氮化铝及氧化铝陶瓷的力学性能对比见下表。

➣可靠性测试指的在-40~+150℃条件下循环，材料不发生破坏的次数。

随着电动力汽车的流行，氮化硅陶瓷基片也将迎来发展机遇

带孔陶瓷基片

氮化硅陶瓷力学性能与热学性能与高功率电子基板材料的要求完美贴合。Si3N4陶瓷基片材料在未来的广阔的市场前景，引起了国际陶瓷企业的高度重视。而目前全球真正将Si3N4陶瓷基片用于实际生产电子器件的只有东芝、京瓷和罗杰斯等少数公司。商用Si3N4陶瓷基片的热导率一般在56~90w/(m·K)。以日本东芝公司为例，截止2016年已占领了全球70%的氮化硅基片市场份额，据报道其Si3N4陶瓷基片产品已用于混合动力汽车/纯电动汽车(HEV/EV)市场领域。