压力烧结是指在加热烧结时对被烧结体施加一定的压力促使其致密化的一种烧结方法,这种方法是无压烧结的发展。在无压烧结中,由于温度是唯一可控制的因素,因而对材料致密化的控制相对比较困难,为了得到较高致密度,常需使用很高温度,结果导致晶粒过分长大或异常生长,使烧结体性能下降。压力烧结是在加热的同时施加压力,样品的致密化主要依靠在外加压力作用下物质的迁移而完成,故烧结温度往往比无压烧结低约200 C或更多,在此情况下晶粒几乎不生长或很少生长,从而得到接近于理论密度且晶粒细小的致密陶瓷材料。压力烧结对于用无压烧结难以使其致密化的非氧化物陶瓷(如Si3 Ni、SiC等)具有巨大的优越性。由于这些非氧化物陶瓷的表面张力小、扩散系数低,故常压下即使使用很高的温度也难以致密化。另外,某些非氧化物,如Si3 N4在一定温度(1650 C)以上即分解,无压烧结更为困难,此时压力烧结便成为最有力的致密化手段。
在压力烧结过程中,根据加压方式的不同,又可分为热压烧结和热等静压烧结,的者是一种单向加压,后者则是周向加压。
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