SiC在地球上几乎不存在,仅在陨石中有所发现,但是在许多工厂碳化硅陶瓷都被用来作为结构陶瓷件,运用于各行的加工机器当中,因此,工业上应用的SiC粉未都为人工合成。目前,合成SiC粉未的主要方法有以下四点：
1、 Acheson法
这是工业上采用最多的合成方法,即用电将石英砂和焦炭的混合物加热至2500℃左右高温反应制得。因石英砂和焦炭中通常含有Al和Fe等杂质,在制成的SiC中都固溶有少量杂质。其中,杂质少的呈绿色,杂质多的呈黑色.
2、化合法
在一定的温度下,使高纯的硅与碳黑直接发生反应。由此可合成高纯度的β-SiC粉末,这种方法采用的比较少，在加工合成是成本消耗较大.
外径200mm碳化硅陶瓷环
3、热分解法
使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有机硅聚合物在1200~1500℃的温度范围内发生分解反应,由此制得亚微米级的β-SiC粉末。
使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有机硅聚合物在1200~1500℃的温度范围内发生分解反应,由此制得亚微米级的β-SiC粉末。
4、气相反相法
使SiC4和SiH4等含硅的气体以及CH4、C3H8、C7H8和(C이4等含碳的气体或使使CH3SiCI3、(CH3)2SiC어2和Si(CH3)4等同时含有硅和碳的气体在高温下发生反应,由此制备纳米级的β-SiC超细粉。
在进行了碳化硅工业陶瓷的合成后，我们还需要进行一步同等重要的步骤那就是陶瓷加工烧结，在之后的文章中科众陶瓷厂会给大家详细介绍。
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本文“碳化硅工业陶瓷的合成流程方法介绍”由科众陶瓷编辑整理，修订时间：2021-10-16 14:41:09
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